Novos nanofios de silício-germânio poderão levar a dispositivos electrónicos mais pequenos e mais poderosos

Desde há muito que os fabricantes de micro-chips enfrentam o desafio da miniaturização. Agora, investigadores da Universidade da Califórnia em Los Angeles (UCLA), da Universidade de Purdue e da IBM dizem ter facilitado esta tarefa com a criação de nanofios semicondutores que poderão ser usados em transístores da próxima geração.